N-Kanal-Transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

N-Kanal-Transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Menge
Stückpreis
1-4
18.70€
5-9
17.94€
10-19
17.20€
20+
16.47€
Menge auf Lager: 35

N-Kanal-Transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 3800pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W45NM60. Kosten): 1250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 417W. RoHS: ja. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 508 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
STW45NM60
31 Parameter
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
45A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.09 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
650V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
C(in)
3800pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
W45NM60
Kosten)
1250pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
417W
RoHS
ja
Spec info
Idm--180Ap (pulsed)
Td(off)
16 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
MDmesh PpwerMOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
508 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics