N-Kanal-Transistor STW43NM60ND, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

N-Kanal-Transistor STW43NM60ND, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

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N-Kanal-Transistor STW43NM60ND, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 4300pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 43NM60ND. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 255W. RoHS: ja. Spec info: Niedriger Gate-Eingangswiderstand. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
STW43NM60ND
31 Parameter
ID (T=100°C)
22A
ID (T=25°C)
35A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.075 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
4300pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
140A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
43NM60ND
Kosten)
250pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
255W
RoHS
ja
Spec info
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Td(off)
120ns
Td(on)
30 ns
Technologie
MDmesh II
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
190 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics