N-Kanal-Transistor STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 650V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1440pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N65M2. Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08