N-Kanal-Transistor STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 1450pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W20NM60. Kosten): 350pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58