N-Kanal-Transistor STW10NK60Z, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1370pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK60Z. Kosten): 156pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 156W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58