N-Kanal-Transistor STP9NK60ZFP, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-Kanal-Transistor STP9NK60ZFP, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
1.88€
5-24
1.63€
25-49
1.46€
50-99
1.29€
100+
1.09€
Menge auf Lager: 35

N-Kanal-Transistor STP9NK60ZFP, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1110pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 28A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK60ZFP. Kosten): 135pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STP9NK60ZFP
31 Parameter
ID (T=100°C)
4.4A
ID (T=25°C)
7A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.85 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1110pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
28A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P9NK60ZFP
Kosten)
135pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
43 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
480 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics