N-Kanal-Transistor STP80NF55-08, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-Kanal-Transistor STP80NF55-08, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
3.86€
5-24
3.15€
25-49
2.73€
50-99
2.37€
100+
1.84€
Menge auf Lager: 14

N-Kanal-Transistor STP80NF55-08, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3850pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Motorsteuerung, Audioverstärker. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 800pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STP80NF55-08
31 Parameter
ID (T=100°C)
57A
ID (T=25°C)
80A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0065 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
3850pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Motorsteuerung, Audioverstärker
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
320A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
800pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
300W
RoHS
ja
Td(off)
70 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
80 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics