N-Kanal-Transistor STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

N-Kanal-Transistor STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

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Stückpreis
1-4
2.17€
5-24
1.85€
25-49
1.63€
50-99
1.46€
100+
1.24€
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N-Kanal-Transistor STP7NK80Z, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1138pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80Z. Kosten): 122pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Zener-Protected. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STP7NK80Z
28 Parameter
ID (T=100°C)
3.3A
ID (T=25°C)
5.2A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.5 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
800V
C(in)
1138pF
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20.8A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P7NK80Z
Kosten)
122pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Spec info
Zener-Protected
Td(off)
45 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
SuperMESH™ Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
530 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics