N-Kanal-Transistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-Kanal-Transistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
1.50€
5-24
1.29€
25-49
1.13€
50-99
1.03€
100+
0.90€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor STP6NK60ZFP, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 905pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK60ZFP. Kosten): 115pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 445 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STP6NK60ZFP
29 Parameter
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
1 Ohm
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
600V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
905pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
24A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P6NK60ZFP
Kosten)
115pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
32W
Td(off)
47 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
SuperMESH Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
445 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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