N-Kanal-Transistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. IDSS: 0.01mA. IDSS (max): 62A. Einschaltwiderstand Rds On: 12.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 33V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1330pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: vollständig geschützt. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Id(imp): 248A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P62NS04Z. Kosten): 420pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58