N-Kanal-Transistor STP5NK100Z-ZENER, TO-220AB, 1 kV. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1154pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Herstellerkennzeichnung: P5NK100Z. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06