N-Kanal-Transistor STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-Kanal-Transistor STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.37€
5-24
1.15€
25-49
1.01€
50-99
0.91€
100+
0.78€
Menge auf Lager: 160

N-Kanal-Transistor STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06L. Kosten): 300pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP55NF06L
31 Parameter
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.016 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1700pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
16V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
220A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P55NF06L
Kosten)
300pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
95W
RoHS
ja
Td(off)
40ms
Td(on)
20ms
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
80 ns
Vgs(th) max.
1.7V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics