N-Kanal-Transistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-Kanal-Transistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
1.85€
5-49
1.53€
50-99
1.37€
100+
1.20€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 77

N-Kanal-Transistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP4NB80FP
28 Parameter
ID (T=100°C)
2.4A
ID (T=25°C)
4A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
700pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kosten)
95pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
Td(off)
12 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
PowerMESH MOSFET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
600 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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