N-Kanal-Transistor STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 1uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24