N-Kanal-Transistor STP3NK90ZFP, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V

N-Kanal-Transistor STP3NK90ZFP, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
1.79€
5-24
1.55€
25-49
1.39€
50-99
1.28€
100+
1.11€
Menge auf Lager: 49

N-Kanal-Transistor STP3NK90ZFP, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 900V. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. C(in): 590pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 12A. Kanaltyp: N. Kosten): 63pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP3NK90ZFP
29 Parameter
ID (T=100°C)
1.89A
ID (T=25°C)
3A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.6 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
900V
Betriebstemperatur
-55°C bis +150°C
C(in)
590pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Zener-Protected
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung (aus) max.
4.5V
Gate/Source-Spannung (aus) min.
3V
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
12A
Kanaltyp
N
Kosten)
63pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
25W
RoHS
ja
Td(off)
45 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
SuperMESH Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
510 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics