N-Kanal-Transistor STP3NA60, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 2.9A. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24