N-Kanal-Transistor STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FD. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 192W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24