N-Kanal-Transistor STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

N-Kanal-Transistor STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
3.49€
5-24
3.03€
25-49
2.67€
50+
2.35€
Menge auf Lager: 79

N-Kanal-Transistor STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Zenerdiodenschutz. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P14NK50ZFP. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 238pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP14NK50ZFP
32 Parameter
ID (T=100°C)
7.6A
ID (T=25°C)
14A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.34 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2000pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Zenerdiodenschutz
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P14NK50ZFP
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
238pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
RoHS
ja
Td(off)
54 ns
Td(on)
24 ns
Technologie
SuperMESH ™Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
470 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics