N-Kanal-Transistor STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 550V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 1000pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P12NM50FP. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24