N-Kanal-Transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V - STP12NM50

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V - STP12NM50. N-Kanal-Transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 550V. C(in): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P12NM50. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.