N-Kanal-Transistor STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1350pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: schneller Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Hinweis: Viso 4000V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H8NA60FI. Kosten): 175pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Erweiterungsmodus. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54