N-Kanal-Transistor STGW40NC60V, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V

N-Kanal-Transistor STGW40NC60V, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
21.41€
5-9
21.00€
10-24
20.72€
25+
20.60€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor STGW40NC60V, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 4550pF. CE-Diode: nein. Funktion: Hochfrequenzbetrieb bis 50 kHz. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 200A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW40NC60V. Kollektorstrom: 80A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 350pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 260W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Td(off): 140 ns. Td(on): 43 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40

Technische Dokumentation (PDF)
STGW40NC60V
29 Parameter
Ic(T=100°C)
50A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
4550pF
CE-Diode
nein
Funktion
Hochfrequenzbetrieb bis 50 kHz
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3.75V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5.75V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Germaniumdiode
nein
Ic(Impuls)
200A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
GW40NC60V
Kollektorstrom
80A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
350pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2.5V
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
260W
RoHS
ja
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.9V
Td(off)
140 ns
Td(on)
43 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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