N-Kanal-Transistor STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV

N-Kanal-Transistor STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV

Menge
Stückpreis
1-24
7.02€
25+
4.68€
Menge auf Lager: 782

N-Kanal-Transistor STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1154pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Herstellerkennzeichnung: F5NK100Z. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:25

Technische Dokumentation (PDF)
STF5NK100Z-ZENER
16 Parameter
Gehäuse
TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds [V]
1 kV
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
52 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1154pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
3.5A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
3.7 Ohms @ 1.75A
Einschaltzeit ton [nsec.]
23 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4.5V
Herstellerkennzeichnung
F5NK100Z
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
125W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics