N-Kanal-Transistor STF13N80K5, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-Kanal-Transistor STF13N80K5, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
6.13€
5-24
5.62€
25-49
5.25€
50+
4.85€
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N-Kanal-Transistor STF13N80K5, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 870pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13N80K5. Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

STF13N80K5
31 Parameter
ID (T=100°C)
7.6A
ID (T=25°C)
12A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.37 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
870pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Schaltkreise
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
13N80K5
Kosten)
50pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
RoHS
ja
Td(off)
42 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
600 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics