N-Kanal-Transistor STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-3. Spannung Vds(max): 525V. Anzahl der Kanäle: 1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 545pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltanwendungen, Gate-Ladung minimiert, niedriges IDSS. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. IDss (min): 5uA. Id(imp): 17.6A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N52K3. Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Enhancement type. Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54