N-Kanal-Transistor STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

N-Kanal-Transistor STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Menge
Stückpreis
1-4
1.33€
5-49
1.10€
50-99
0.99€
100+
0.90€
Menge auf Lager: 1129

N-Kanal-Transistor STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 500V. C(in): 310pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 12A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D4NK50Z. Kosten): 49pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
STD4NK50ZT4
26 Parameter
ID (T=100°C)
1.9A
ID (T=25°C)
3A
IDSS
1uA
IDSS (max)
3A
Einschaltwiderstand Rds On
2.3 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( D-PAK )
Spannung Vds(max)
500V
C(in)
310pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
G-S-Schutz
ja
Id(imp)
12A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
D4NK50Z
Kosten)
49pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
45W
RoHS
ja
Td(off)
21 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
260 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics