N-Kanal-Transistor SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1150pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 28A. Kanaltyp: N. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 415 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54