N-Kanal-Transistor SPP10N10, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 426pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: 10N10. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:42