N-Kanal-Transistor SPP08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1100pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Kosten): 46pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 104W. RoHS: ja. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54