N-Kanal-Transistor SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-Kanal-Transistor SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
3.06€
5-24
2.66€
25-49
2.40€
50+
2.15€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 72

N-Kanal-Transistor SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 30pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 14.6A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60S5. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Produktionsdatum: 2015/05. RoHS: ja. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Td(off): 170 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 750 ns. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
SPP07N60S5
33 Parameter
ID (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.3A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.54 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
30pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
„Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.5uA
Id(imp)
14.6A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
07N60S5
Kosten)
55pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
83W
Produktionsdatum
2015/05
RoHS
ja
Spec info
COOL MOS TRANSISTOR
Td(off)
170 ns
Td(on)
120ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
750 ns
Vgs(th) max.
5.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies

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