N-Kanal-Transistor SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V

N-Kanal-Transistor SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V

Menge
Stückpreis
1-4
1.12€
5-49
0.93€
50-99
0.78€
100+
0.70€
Menge auf Lager: 455

N-Kanal-Transistor SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.093 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 215pF. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 37A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPD09N05. Kosten): 75pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 24W. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
SPD09N05
27 Parameter
ID (T=100°C)
6.5A
ID (T=25°C)
9.2A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.093 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
215pF
Funktion
dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
37A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
SPD09N05
Kosten)
75pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
24W
Td(off)
30 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
SIPMOS Power-Transistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
50 ns
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies