N-Kanal-Transistor SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 560V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 750pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 22.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N50C3. Kosten): 350pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30