N-Kanal-Transistor SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V

N-Kanal-Transistor SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V

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N-Kanal-Transistor SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V. Gehäuse: ITO-220 (PG-TO220FP). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 790pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 7.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Herstellerkennzeichnung: 07N60C3. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 32W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38

Technische Dokumentation (PDF)
SPA07N60C3XKSA1
16 Parameter
Gehäuse
ITO-220 (PG-TO220FP)
Drain-Source-Spannung Uds [V]
650V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
60 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
790pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
7.3A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.6 Ohms @ 4.6A
Einschaltzeit ton [nsec.]
6 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3.9V
Herstellerkennzeichnung
07N60C3
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
32W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon