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N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V - SPA04N60C3

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V - SPA04N60C3
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5 - 9 2.08€ 2.48€
10 - 24 1.97€ 2.34€
25 - 49 1.86€ 2.21€
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N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V - SPA04N60C3. N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 14:25.

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SPU04N60C3

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N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100...
SPU04N60C3
N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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