N-Kanal-Transistor SKW25N120, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1150pF. CE-Diode: ja. Funktion: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: -. Ic(Impuls): 84A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25N120. Kollektorstrom: 46A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 120pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 313W. RoHS: ja. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Sättigungsspannung VCE(sat): 3.1V. Td(off): 730 ns. Td(on): 45 ns. Trr-Diode (Min.): 280 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40