N-Kanal-Transistor, 330A, Andere, Andere, 1200V - SKM400GB126D

N-Kanal-Transistor, 330A, Andere, Andere, 1200V - SKM400GB126D. N-Kanal-Transistor, 330A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 23.1pF. Kosten): 1.9pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Kollektorstrom: 470A. Ic(Impuls): 600A. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 18:25.