N-Kanal-Transistor SKM100GAR123D, 90A, andere, andere, 600V

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N-Kanal-Transistor SKM100GAR123D, 90A, andere, andere, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 7. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 5000pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Hinweis: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Ic(Impuls): 150A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 100A. Kosten): 720pF. Montage/Installation: -. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Semikron. Bestandsmenge aktualisiert am 29/09/2025, 21:55

Technische Dokumentation (PDF)

SKM100GAR123D

24 Parameter

Ic(T=100°C)

90A

Gehäuse

andere

Gehäuse (laut Datenblatt)

andere

Kollektor-/Emitterspannung Vceo

600V

Anzahl der Terminals

Betriebstemperatur

-55...+150°C

C(in)

5000pF

CE-Diode

Funktion

Hochleistungs-IGBT

Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.

4.5V

Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.

6.5V

Gate/Emitter-Spannung VGE

20V

Germaniumdiode

nein

Hinweis

Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz)

Ic(Impuls)

150A

Kanaltyp

Kollektorstrom

100A

Kosten)

720pF

RoHS

Spec info

Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed)

Sättigungsspannung VCE(sat)

2.3V

Td(off)

450 ns

Td(on)

30 ns

Originalprodukt vom Hersteller

Semikron