N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9410BDY-E3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.