N-Kanal-Transistor SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0074 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2000pF. Drain-Source-Schutz: nein. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Kosten): 260pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30