N-Kanal-Transistor SI4559EY-E3, SO8, MS-012, 60V/-60V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V/-60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 4.5A/-3.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Herstellerkennzeichnung: SI4559EY. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:45