N-Kanal-Transistor SI4532ADY-T1-E3, SO8, MS-012, 30V/-30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23/21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 500pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3.7A/-3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Herstellerkennzeichnung: SI4532ADY-T1-E3. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.13W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:45