N-Kanal-Transistor, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480DY

N-Kanal-Transistor, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480DY. N-Kanal-Transistor, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 20uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 80V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 17:25.