N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v - SI4410BDY

N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v - SI4410BDY. N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.