N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A - SI2308BDS-T1-GE3

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A - SI2308BDS-T1-GE3. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L8. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.66W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.