N-Kanal-Transistor SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 349 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1600pF. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: G30N60. Ic(Impuls): 112A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Kollektorstrom: 41A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 150pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 112A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40