N-Kanal-Transistor SGP10N60A, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 550pF. CE-Diode: nein. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G10N60A. Kollektorstrom: 20A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 62pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 92W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 178 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40