N-Kanal-Transistor RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V
| +191 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit! | |
| Menge auf Lager: 10 |
N-Kanal-Transistor RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.022 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 37 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2020pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2020pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 50A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Funktion: MegaFET. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: RFP50N06. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 600pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 131W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 131W. RoHS: ja. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30