N-Kanal-Transistor RFD14N05SM9A, D-PAK, 50V. Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 670pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Herstellerkennzeichnung: F14N05. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:25