N-Kanal-Transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

N-Kanal-Transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

Menge
Stückpreis
1-4
2.23€
5-9
2.00€
10-24
1.84€
25-49
1.71€
50+
1.52€
Menge auf Lager: 54

N-Kanal-Transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 13.9m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK (SOT404). Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3195pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Standardschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.06uA. Id(imp): 272A. Kanaltyp: N. Kosten): 221pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

PSMN013-100BS-118
28 Parameter
ID (T=100°C)
47A
ID (T=25°C)
68A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
13.9m Ohms
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK (SOT404)
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
3195pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Standardschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
0.06uA
Id(imp)
272A
Kanaltyp
N
Kosten)
221pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
170W
RoHS
ja
Td(off)
52.5 ns
Td(on)
20.7 ns
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
52 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors