N-Kanal-Transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

N-Kanal-Transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

Menge
Stückpreis
1-4
1.81€
5-24
1.50€
25-49
1.26€
50+
1.12€
Menge auf Lager: 779

N-Kanal-Transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 790pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: Verbesserung der Logikebene. G-S-Schutz: nein. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kosten): 175pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Niko-semi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
P2804BDG
25 Parameter
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
10A
IDSS
1uA
IDSS (max)
10A
Einschaltwiderstand Rds On
0.03 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( D-PAK )
Spannung Vds(max)
40V
C(in)
790pF
Drain-Source-Schutz
nein
Funktion
Verbesserung der Logikebene
G-S-Schutz
nein
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Kosten)
175pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
32W
RoHS
ja
Td(off)
11.8 ns
Td(on)
2.2 ns
Technologie
Feldeffekttransistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
15.5 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Niko-semi